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加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2016 年 4 月 14 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出三路輸出µModule (電源模塊) 穩(wěn)壓器 LTM4632，用于為新型 QDR4 和較老式的 DDR SRAM 之所有三個(gè)電壓軌供電：VDDQ、VTT、VTTR (或 VREF)。 LTM4632 采用一個(gè)微型、輕量和超薄的 LGA 封裝 (6.25mm x 6.25mm x 1.82mm)，其可焊接在 PCB 的背面，配合 采用一個(gè)電阻器和三個(gè)電容器時(shí)，占板面積僅為 0.5cm2 (雙面) 或 1cm2 (單面)。一個(gè) LTM4632 能提 供 3A VDDQ 和 ±3A VTT (=1/2*VDDQ)，所以兩個(gè)并聯(lián)的 LTM4632 能夠?yàn)檩^大的存儲(chǔ)器組提供高達(dá)每電源軌 6A。對(duì)于 超過(guò) 6A 的 VDDQ，LTM4632 可配置為與 LTM4630 一起給大型 SRAM 陣列提供介于 18A 和 36A 之間的 VDDQ。 如果 VDDQ 已經(jīng)可用，則可配置 LTM4632 以提供一個(gè)高達(dá) 6A 的兩相單路 VTT 輸出。

LTM4632 可 采用一個(gè) 3.3V 的低輸入電源、以及標(biāo)準(zhǔn)的 5V 和 12V 輸入 (最高 15V) 工作 。兩個(gè)輸出電壓 (VDDQ 和 VTT) 的范圍均 為 0.6V 至 2.5V。第三個(gè)輸出是一個(gè)用于 SRAM 之 VTTR 的低噪聲 10mA 緩沖輸出。應(yīng)用包括 PCIe、基于云的系統(tǒng)、 RAID、視頻處理和采用這些 SRAM 的網(wǎng)絡(luò)：DDR / DDR-II / DDR-III / DDR4 / QDR / QDR- II / QDR-II+ 和 QDR4。

LTM4632 包含一個(gè)三路輸 出 DC/DC 穩(wěn)壓器、電壓除二電路、電源開(kāi)關(guān)、電感器和支持組件，采用了緊湊和超薄的封裝。LTM4632 的額定工作溫度范圍 為 -40°C 至 125°C。E 級(jí)版本的千片批購(gòu)價(jià)為每片 7.35 美元，而 I 級(jí)版本的千片批購(gòu)價(jià)則為每片 8.09 美元。如需更多信息， 請(qǐng)登錄 www.linear.com.cn/product/LTM4632。

用于 DDR-QDR4 存儲(chǔ)器電源的超薄µModule 穩(wěn)壓器

性能概要：LTM4632

占板面積為 1cm2 (單面 PCB) 或 0.5cm2 (雙面 PCB) 的完整 DDR / QDR4 存儲(chǔ)器電源解決方案

3A VDDQ + 3A VTT 或兩相單路 6A VTT

寬輸入電壓范圍：3.6V (VIN 連接至 INTVCC) 至 15V

0.6V 至 2.5V 輸出電壓范圍

±1.5%、±10mA 緩沖 VTTR = VDDQ/2 輸出

外部頻率同步

超薄型 6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封裝

本文給出的美國(guó)報(bào)價(jià)僅供預(yù)算之用。各地報(bào)價(jià)可能因當(dāng)?shù)仃P(guān)稅、各種稅款、費(fèi)用以及匯率不同而有所分別。