三菱電機(jī)的最新開發(fā)的Smart-1系列IGBT模塊,采用第6代CSTBTTM硅片技術(shù)和自動壓接裝配技術(shù)。模塊的飽和壓降低,功率損耗低,且硅片結(jié)溫可高達(dá)175°C,硅片運行溫度最高可達(dá)150 °C。
Smart-1系列IGBT模塊主要應(yīng)用于工業(yè)變頻電機(jī)驅(qū)動和伺服驅(qū)動,已開發(fā)出的模塊電路拓?fù)溆袃煞N,一種是整流逆變制動的CIB(Converter Inverter Brake),另一種是6合1模塊。其中,CIB模塊的電流/電壓等級有15A~35A/1200V,6合1模塊的電流/電壓等級有25A~50A/1200V。
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摘自《自動化博覽》2011年第七期